半导体工艺制程学

最落地的学科——对接晶圆厂实际制造能力（中芯28/14/N+2 PDK）。

核心内容

• 光刻：图形转移、分辨率极限

• 刻蚀：各向异性刻蚀、FinFET鳍结构

• 薄膜沉积：CVD/PVD/ALD（高k栅介质原子层沉积）

• 离子注入掺杂：注入分布、退火激活

• 退火：激活杂质、修复损伤

• CMP化学机械抛光：平坦化

• 工艺公差：决定FinFET鳍高/栅长/介质厚度的公差范围

备注

工艺制程直接限定参数化模板的合理参数范围——避免建模尺寸违背 实际制造能力。这是TCAD工艺仿真器（SProcess）的物理基础。