电学

半导体器件电学基础——仿真必须首先理解器件的电气行为。

核心内容

• 半导体物理：能带、载流子浓度、费米能级

• PN结理论：耗尽区、正向/反向特性、击穿

• MOS器件物理：阈值电压、强/弱反型、亚阈值区

• 漂移-扩散方程：载流子输运基本方程（TCAD求解对象）

• 静电场：泊松方程

• 载流子输运：迁移率、散射机制

• IV特性：输出特性、转移特性

• ESD：静电放电防护

• 闩锁效应：CMOS寄生晶闸管

备注

电学是TCAD仿真的第一性基础——器件仿真器求解的核心方程组就是 泊松方程+漂移扩散方程（对应Sentaurus Device第7、8章）。