量子力学

纳米器件量子效应——FinFET进入纳米尺度后的必需学科。

核心内容

• 量子隧穿：栅漏漏电的来源（薄栅氧化层电子隧穿）

• 量子限制效应：纳米FinFET沟道量子修正（能带分裂、载流子量子化）

• 载流子有效质量：能带结构→输运特性

• 隧穿电流：栅极漏电计算（可靠性物理的输入）

备注

量子修正模型（密度梯度法/薛定谔求解）是现代器件仿真器（如Sentaurus Device）Ch14"量子化效应"的物理基础。